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HSBA3072
N沟道30V快速开关MOSFET
- 描述
- 100% EAS 保证。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的 CdV/dt 效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3072
- 商品编号
- C45385116
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HSST3018是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSST3018符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 快速开关速度
- 超低栅极电荷
- 高端开关
- 低阈值
- 静电放电（ESD）保护高达2KV