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HSBA1522
双N沟道150V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整的功能可靠性认证。超低栅极电荷。有绿色器件可选。出色的Cdv/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA1522
- 商品编号
- C45385126
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA1522 是具有极高单元密度的高性能 SGT N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA1522 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证具有 EAS 能力，且通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 有绿色环保器件可选
- 出色的 Cdv/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度 SGT MOS 技术