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HSBA6056
N沟道60V快速开关MOSFET
- 描述
- 先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低RDS(ON)。100% EAS保证。有绿色环保器件
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6056
- 商品编号
- C45385119
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进沟槽MOS技术
- 低栅极电荷
- 低RDS(ON) 100%保证耐雪崩能力
- 有环保型器件可选
应用领域
-电机控制-DC/DC转换器-同步整流应用