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HSBA6074B
N沟道60V快速开关MOSFET
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- 描述
- 高单元密度SGT N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6074B
- 商品编号
- C45385122
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |