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HSBA35P15
P沟道150V快速开关MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA35P15
- 商品编号
- C45385125
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA35P15采用先进的沟槽MOSFET技术,可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷,适用于各种其他应用。 HSBA35P15符合RoHS和绿色产品要求,经过全面功能可靠性认证,100% 保证具有抗雪崩能力。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术