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HSBA6566A
N沟道60V快速开关MOSFET
- 描述
- 先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低导通电阻。100%保证雪崩耐量。提供环保器件
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6566A
- 商品编号
- C45385120
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进沟槽MOS技术
- 低栅极电荷
- 低导通电阻RDS(ON) 100%保证具有抗雪崩能力
- 有环保型器件可选
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
-电机控制-DC/DC转换器-同步整流应用