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HSBA6048A
N沟道60V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证雪崩能量耐量 (EAS)，具备完整功能可靠性认证。超低栅极电荷。100% 保证雪崩能量耐量 (EAS)。有绿色环保器件可供选择。出色的 dv/dt 效应抑制能力。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6048A
- 商品编号
- C45385121
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.508nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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