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HSL0115
P沟道100V快速开关MOSFET
- 描述
- 使用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷，适用于各种应用。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量（EAS），并通过全功能可靠性认证。100%保证雪崩能量耐量（EAS）。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSL0115
- 商品编号
- C45385111
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.029nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSL0115采用先进的沟槽MOSFET技术,可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷,适用于各种其他应用。 HSL0115符合RoHS和绿色产品要求,经过全功能可靠性认证,100%保证具有抗雪崩能力。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术