温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSK10N10
N沟道100V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，并通过全功能可靠性认证。绿色器件。超低栅极电荷。出色的 Cdv/dt 效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSK10N10
- 商品编号
- C45385109
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单