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HSST3018
N沟道30V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合RoHS和绿色产品要求，具备完整功能可靠性认证。具有快速开关速度、超低栅极电荷、高端开关、低阈值、ESD防护高达2KV的特点。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSST3018
- 商品编号
- C45385108
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 31pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSST3018是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。HSST3018符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 快速开关速度
- 超低栅极电荷
- 高端开关
- 低阈值
- 静电放电(ESD)保护高达2KV
应用领域
- 电动工具
- DC-DC 转换
- 电机控制