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DOY150N02
N管/20V/150A/1MΩ/(典型0.8MΩ)
- 描述
- N管/20V/150A/1mΩ/(典型0.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOY150N02
- 商品编号
- C45385105
- 商品封装
- TDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 760pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 860pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 150 A,RDS(ON) < 1 m Ω(VGS = 4.5 V 时,典型值为 0.8 m Ω)
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)
- 出色的封装,散热性能良好
- 湿度敏感度等级3(MSL3)