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DOD85N10-L
SGT工艺/100V/85A/7.5MΩ/(典型6.4MΩ)
- 描述
- SGT工艺/100V/85A/7.5mΩ/(典型6.4mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD85N10-L
- 商品编号
- C45385104
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.319nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 85 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ,典型值为6.4 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能出色
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