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DMG3414UQ-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG3414UQ-7
- 商品编号
- C460980
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 780mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 829.9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 85.3pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器