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DMN2029USD-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:5.8A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2029USD-13
- 商品编号
- C460999
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V,5.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.171nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 背光照明