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DMN3404LQ-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3404LQ-7

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN3404LQ-7
商品编号
C461021
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.021克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)11.3nC
输入电容(Ciss)498pF@15V
反向传输电容(Crss)45pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF 16949认证的工厂制造

应用领域

  • 电池充电
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器
  • 便携式电源适配器

数据手册PDF