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DMN6070SFCL-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6070SFCL-7
- 商品编号
- C461039
- 商品封装
- X1-DFN1616-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 典型离板高度为0.5mm,非常适合轻薄应用
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- PCB占位面积为2.56mm2
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- 电源管理功能
- 模拟开关