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DMN53D0LW-7
1个N沟道 耐压:50V 电流:360mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效功率管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN53D0LW-7
- 商品编号
- C461030
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA；250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@10V；770mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@100uA；1.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V；600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 45.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.3pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- N沟道MOSFET-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等