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DMP2021UTSQ-13
1个P沟道 耐压:20V 电流:19A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：- 电池管理应用
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2021UTSQ-13
- 商品编号
- C461053
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V；19mΩ@1.8V；15mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 262pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电池管理应用、电源管理功能、DC-DC转换器。
商品特性
- 100%非钳位电感开关——确保最终应用更可靠、更耐用
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 栅极具备静电放电保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序（PPAP）能力
应用领域
- 电池管理应用-电源管理功能-DC-DC转换器