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DMP3010LPSQ-13
1个P沟道 耐压:30V 电流:36A
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- 描述
- 这款新一代 30V P 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3010LPSQ-13
- 商品编号
- C461070
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,36A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 126.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.234nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 774pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代30V P沟道增强型MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 散热高效封装——适用于低发热应用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)——最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度<1.1mm——适用于轻薄应用
- 静电放电人体模型（ESD HBM）防护等级高达1kV
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
- 可提供生产件批准程序（PPAP）文件
应用领域
- 笔记本电脑电池电源管理
- DC-DC转换器
- 负载开关