温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP3018SFV-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3018SFV-7
- 商品编号
- C461075
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.147nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 358pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体（Fairchild Semiconductor）先进的PowerTrench®技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并优化开关性能。
商品特性
- 栅源电压为 -10 V、漏极电流为 -2 A 时，最大漏源导通电阻 = 307 mΩ
- 栅源电压为 -6 V、漏极电流为 -1.8 A 时，最大漏源导通电阻 = 356 mΩ
- 极低的漏源导通电阻，中压P沟道硅技术，针对低栅极电荷进行优化
- 针对快速开关应用以及负载开关应用进行优化
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关