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DMP21D0UFB4-7R
1个P沟道 耐压:20V 电流:770mA
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP21D0UFB4-7R
- 商品编号
- C461066
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 770mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 495mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 430mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 76.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 13.7pF |
商品特性
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 90mΩ
- 当 -30V、-4.6A，栅源电压（VGS） = -10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 60mΩ
- 高密单元设计，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 坚固可靠
- 符合无铅产品要求
- TSOP - 6 封装