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DMP2123LQ-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 特性：低RDS(ON)。72mΩ @VGS =-4.5V。108mΩ @VGS =-2.7V。123mΩ @VGS =-2.5V。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2123LQ-7
- 商品编号
- C461064
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 123mΩ@2.5V,2.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 443pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 在栅源电压（VGS）为 -4.5V 时，阻值为 72 mΩ
- 在栅极电压（VG）为 -2.7V 时，阻值为 108 mΩ
- 在栅极电压（VG）为 -2.5V 时，阻值为 123 mΩ
- 低输入/输出漏电流
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
- 具备生产件批准程序（PPAP）能力