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DMN65D8LFB-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:400mA
- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN65D8LFB-7
- 商品编号
- C461043
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.115A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 840mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 54000 个)个
起订量：54000 个3000个/圆盘
总价金额：
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