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DMP2088LCP3-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.9A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在减少手持和移动应用中的占用空间，它可以用来替代许多占用空间非常小的小信号MOSFET。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2088LCP3-7
- 商品编号
- C461063
- 商品封装
- X2-DSN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 570mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET专为减少手持设备和移动应用中的占位面积而设计。它可以用极小的占位面积替代许多小信号MOSFET。
商品特性
- 低Qg和Qgd
- 小占位面积
- 低外形,高度仅0.30mm
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
- 手持设备和移动应用