温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN53D0LQ-7
1个N沟道 耐压:50V 电流:500mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN53D0LQ-7
- 商品编号
- C461029
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）防护达2kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- DMN53D0LQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，且在通过IATF 16949认证的工厂制造。
应用领域
- 高效电源管理应用-汽车应用