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DMN3200U-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.2A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：90mΩ @ VGS = 4.5V。110mΩ @ VGS = 2.5V。200mΩ @ VGS = 1.5V。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 ESD保护栅极。 快速开关速度。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3200U-7
- 商品编号
- C461018
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V,2.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 当VGS = 4.5V时，导通电阻为90mΩ
- 当VGS = 2.5V时，导通电阻为110mΩ
- 当VGS = 1.5V时，导通电阻为200mΩ
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 栅极具备ESD保护
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准