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DMN3026LVT-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.6A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3026LVT-7
- 商品编号
- C461010
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V；22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 643pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过 AEC-Q101 标准认证，具备高可靠性
应用领域
- DC-DC 转换器
- 电源管理功能
- 背光源