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DMN31D5L-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN31D5L-7

1个N沟道 耐压:30V 电流:0.5A

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描述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN31D5L-7
商品编号
C461017
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@4V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)500pC@4.5V
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on) ,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 静电放电(ESD)保护栅极
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

-电机控制-电源管理功能-背光照明

数据手册PDF