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DMN3033LDM-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 低RDS(ON): -33 mΩ @VGS = 10V。 -40 mΩ @VGS = 4.5V。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 “绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3033LDM-7
- 商品编号
- C461011
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 755pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时还能降低内部电容和栅极电荷，以实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 低栅极电荷
- 低RDS(ON)
- 在 VGS = 10V 时为 33 mΩ
- 在 VGS = 4.5V 时为 40 mΩ
- 低输入/输出漏电流
- 设计无铅/符合RoHS标准
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- “绿色”器件
应用领域
-开关应用