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DMN3110S-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.3A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3110S-7
- 商品编号
- C461016
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V；88mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 305.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 39.9pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on) ，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-升压应用-模拟开关