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DMN3033LSN-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:65A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 低RDS(ON): -30mΩ @ VGS = 10V。 -40mΩ @ VGS = 4.5V。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q191标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3033LSN-7
- 商品编号
- C461013
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 755pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
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