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DMN2100UDM-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2100UDM-7
- 商品编号
- C461002
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@1.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 555pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能