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DMN3024LSD-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.2A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通状态电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3024LSD-13
- 商品编号
- C461008
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 608pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET的设计旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- “绿色”元件,符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 背光源
- DC-DC转换器
- 电源管理功能