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DMN1045UFR4-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:3.2A
- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1045UFR4-7
- 商品编号
- C460988
- 商品封装
- X2-DFN1010-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 375pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入/输出泄漏电流-快速开关速度-静电放电保护栅极-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-负载开关