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DMN2009USS-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:12.1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2009USS-13
- 商品编号
- C460995
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.706nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器