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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.333nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款新一代MOSFET采用超薄晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺设计,旨在最大程度降低导通电阻(Rss(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 内置栅源(G-S)保护二极管,可承受2kV人体模型(HBM)静电放电
- 完全无铅,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护