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DMN2025UFDB-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2025UFDB-7
- 商品编号
- C460998
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 92pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm厚度——适用于薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，环保型器件
应用领域
- 电池管理应用-电源管理功能-DC-DC转换器