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DMN2011UFDE-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:11.7A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2011UFDE-7
- 商品编号
- C460996
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 610mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.372nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 398pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm 厚度 – 适用于薄型应用
- 4mm² 的 PCB 占位面积
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 栅极具备 ESD 保护
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过 AEC-Q101 标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能