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DMN2005LPK-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:440mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 ESD保护栅极。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2005LPK-7
- 商品编号
- C460992
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 440mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极阈值电压-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-栅极具备ESD保护-符合AEC-Q101高可靠性标准