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DMN2004TK-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD防护高达2kV。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2004TK-7
- 商品编号
- C460991
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V,350mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |