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DMG4800LSDQ-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:9.8A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG4800LSDQ-13
- 商品编号
- C460981
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.56nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 798pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 100%雪崩额定器件
- 低RDS(ON)——将传导损耗降至最低
- 低Qg——将开关损耗降至最低
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具备高可靠性
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器