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DMHT6016LFJ-13
4个N沟道 耐压:60V 电流:10.6A
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- 描述
- 新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMHT6016LFJ-13
- 商品编号
- C460986
- 商品封装
- VDFN5045-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.16W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 864pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代互补MOSFET H桥的特点是，在低栅极驱动条件下可实现低导通电阻。
商品特性
- 散热高效封装——适用于低温运行应用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)——将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理