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DMG9933USD-13
2个P沟道 耐压:20V 电流:4.6A
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- 描述
- 这款MOSFET的设计旨在尽量降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG9933USD-13
- 商品编号
- C460985
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V；110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.4pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 72.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器