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DMG7401SFGQ-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.8A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG7401SFGQ-7
- 商品编号
- C460983
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.987nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 391pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化。
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品。
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可实现更小的终端产品。
- 完全无铅，完全符合RoHS标准。
- 无卤素和锑，是“绿色”器件。
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC - Q中所引用），具备高可靠性。
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器