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DMG6968UTS-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:5.2A
- 描述
- 特性：低导通电阻。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。环保器件。ESD防护高达2KV。符合AEC-Q101高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6968UTS-13
- 商品编号
- C460982
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 143pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 15000 个)个
起订量：15000 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单