温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG2301L-13
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG2301L-13
- 商品编号
- C460976
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,2.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 476pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器-电机控制