温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW8NK80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:6.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,800V,6.2A,1.3Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW8NK80Z
- 商品编号
- C457479
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 输出电容(Coss) | 143pF |
商品概述
SuperMESH™系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形的PowerMESH™布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用中具备出色的dv/dt能力。该系列完善了意法半导体的高压MOSFET全产品线，其中包括具有革新性的MDmesh™产品。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
应用领域
- 开关应用