STN3P6F6
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
- SMT扩展库
描述
P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-3 A STripFET F6功率MOSFET,SOT-223封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STN3P6F6商品编号
C457494商品封装
SOT-223包装方式
编带
商品毛重
0.147克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,1.5A | |
功率(Pd) | 2.6W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.4nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 340pF@48V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@48V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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