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STB80NF10T4
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
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- 描述
- 该功率 MOSFET 系列采用独特的 STripFET 工艺，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合作为电信和计算机应用的先进高效隔离式 DC-DC 转换器中的初级开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB80NF10T4
- 商品编号
- C457511
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 182nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适用于电信和计算机应用的先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 面向应用的特性表征
应用领域
- 开关应用