STB10LN80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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描述
N沟道800 V、0.55 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB10LN80K5商品编号
C457512商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
3.135克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 630mΩ@10V,4A | |
功率(Pd) | 110W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@640V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 427pF@100V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 250fF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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